IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
商品列表
VUI30-12N1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A MODULE
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 三相（PFC 模块） 技术: 标准 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.2 kV 电流 - 平均整流 (Io): 40 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.4 V @ 20 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 750 µA @ 1200 V 基本产品编号: VUI30
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 40A MODULE
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 二极管类型: 三相（PFC 模块） 技术: 标准 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 模块 供应商器件封装: 模块 电压 - 峰值反向（最大值）: 1.2 kV 电流 - 平均整流 (Io): 40 A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.4 V @ 20 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 750 µA @ 1200 V 基本产品编号: VUI30
IXTH180N085T
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 85V 180A TO247
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 430W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247（IXTH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 85 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7500 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 85V 180A TO247
制造商: IXYS 系列: TrenchMV™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 5.5 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 430W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247（IXTH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 85 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7500 pF @ 25 V
MWI35-12A7
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 62A 280W E2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 有源 IGBT 类型: NPT 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.8V @ 15V，35A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: E2 供应商器件封装: E2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 62 A 功率 - 最大值: 280 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 2 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V 基本产品编号: MWI35
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MODULE 1200V 62A 280W E2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 有源 IGBT 类型: NPT 配置: 三相反相器 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.8V @ 15V，35A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: E2 供应商器件封装: E2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 62 A 功率 - 最大值: 280 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 2 mA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 2 nF @ 25 V 基本产品编号: MWI35
IXFX24N90Q
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PLUS247™-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5900 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFX24
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 450 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 500W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: PLUS247™-3 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 900 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5900 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFX24
IXFQ60N60X
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 55 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 143 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5800 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 890W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3P 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 基本产品编号: IXFQ60
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 600V 60A TO3P
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 55 毫欧 @ 30A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 8mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 143 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 5800 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 890W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3P 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 基本产品编号: IXFQ60
MCC72-14IO8B
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR DUAL 1400V TO240AA
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 1700A，1800A 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-240AA 电压 - 断态: 1.4 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 115 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 180 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 2.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: MC*72
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR DUAL 1400V TO240AA
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 1700A，1800A 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: TO-240AA 电压 - 断态: 1.4 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 115 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 180 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 2.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 150 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: MC*72
FMM22-05PF
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 500V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 270 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2630pF @ 25V 功率 - 最大值: 132W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: i4-Pac™-5 供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC™ 基本产品编号: FMM22
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2N-CH 500V 13A I4-PAC
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, PolarHT™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: 2 N-通道（双） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 500V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 13A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 270 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 5V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 50nC @ 10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2630pF @ 25V 功率 - 最大值: 132W 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: i4-Pac™-5 供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC™ 基本产品编号: FMM22
VCO180-18IO7
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR 1800V 180A ECOPAC2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 结构: 单路 SCR 数，二极管: 1 SCR 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 4500A，4900A 工作温度: -40°C ~ 130°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: ECO-PAC2 电压 - 断态: 1.8 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 180 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 280 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 300 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: VCO180
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: MOD THYRISTOR 1800V 180A ECOPAC2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 在售 结构: 单路 SCR 数，二极管: 1 SCR 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 4500A，4900A 工作温度: -40°C ~ 130°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: ECO-PAC2 电压 - 断态: 1.8 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 180 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 280 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1.5 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 300 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 200 mA 基本产品编号: VCO180
IXFE73N30Q
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 66A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 46 毫欧 @ 36.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 400W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 供应商器件封装: SOT-227B 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 漏源电压（Vdss）: 300 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 190 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6400 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFE73
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 66A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 46 毫欧 @ 36.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 400W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 供应商器件封装: SOT-227B 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 漏源电压（Vdss）: 300 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 190 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 6400 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFE73
IXFH24N50Q
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 230 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247AD（IXFH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 95 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3900 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 500V 24A TO247AD
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 24A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 230 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 4mA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247AD（IXFH） 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 500 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 95 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3900 pF @ 25 V