IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
商品列表
MCK500-22IO1
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: SCR THYRISTOR CA 2200V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 结构: 共阴极 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 16500A @ 50Hz 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 545 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1294 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 3 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 300 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 1 A 基本产品编号: MC*500
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: SCR THYRISTOR CA 2200V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 结构: 共阴极 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 16500A @ 50Hz 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2.2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 545 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1294 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 3 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 300 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 1 A 基本产品编号: MC*500
DSEP75-06AR
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GP 600V 75A ISOPLUS247
制造商: IXYS 系列: HiPerFRED™ 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 75A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: ISOPLUS247™ 供应商器件封装: ISOPLUS247™ 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.02 V @ 75 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 600 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GP 600V 75A ISOPLUS247
制造商: IXYS 系列: HiPerFRED™ 包装: 管件 零件状态: 停產 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 75A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: ISOPLUS247™ 供应商器件封装: ISOPLUS247™ 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 600 V 反向恢复时间 (trr): 35 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.02 V @ 75 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 mA @ 600 V
IXFH7N100P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.9 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 1000 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2590 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFH7
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1000V 7A TO247
制造商: IXYS 系列: HiPerFET™, Polar™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.9 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 6V @ 1mA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 300W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-247 封装/外壳: TO-247-3 漏源电压（Vdss）: 1000 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 47 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2590 pF @ 25 V 基本产品编号: IXFH7
MCK700-20IO1W
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: SCR THYRISTOR CA 2000V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 结构: 共阴极 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 18200 @ 50MHz 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 700 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1331 A 基本产品编号: MC*700
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: SCR THYRISTOR CA 2000V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停产 结构: 共阴极 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 18200 @ 50MHz 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 700 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1331 A 基本产品编号: MC*700
IXFT74N20
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 上次购买时间 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 74A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 280nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5400pF @ 25V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 360W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30 毫欧 @ 500mA，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-268 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: HiPerFET™ 包装: 管件 零件状态: 上次购买时间 FET类型: N 沟道 技术: MOSFET（金属氧化物） DraintoSourceVoltage(Vdss): 200V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 74A（Tc） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 4mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 280nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 5400pF @ 25V Vgs（最大值）: ±20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: 360W（Tc） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30 毫欧 @ 500mA，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: TO-268 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
DLA100B1200LB
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 标准 1.2kV 表面贴装 ISOPLUS-SMPD™.B
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 1.2kV 电流-平均整流（Io）: 132A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 1200V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 9-SMD 模块 供应商器件封装: ISOPLUS-SMPD™.B
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 桥式整流器
描述: Bridge Rectifier 单相 标准 1.2kV 表面贴装 ISOPLUS-SMPD™.B
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 二极管类型: 单相 技术: 标准 电压-峰值反向（最大值）: 1.2kV 电流-平均整流（Io）: 132A 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 10µA @ 1200V 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 9-SMD 模块 供应商器件封装: ISOPLUS-SMPD™.B
FII40-06D
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 阵列
描述: IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 IGBT 类型: NPT 配置: 半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 功率 - 最大值: 125 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.2V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）: 600 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.6 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: i4-Pac™-5 供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC™
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 阵列
描述: IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 IGBT 类型: NPT 配置: 半桥 电压 - 集射极击穿（最大值）: 600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 40 A 功率 - 最大值: 125 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.2V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）: 600 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.6 nF @ 25 V 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 无 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: i4-Pac™-5 供应商器件封装: ISOPLUS i4-PAC™
IXBH9N160G
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
制造商: IXYS 系列: BIMOSFET™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 7V @ 15V，5A 开关能量: - 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: - 测试条件: 960V，5A，27 欧姆，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD（IXBH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 9 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 10 A 功率 - 最大值: 100 W 栅极电荷: 34 nC 基本产品编号: IXBH9N160
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1600V 9A 100W TO247AD
制造商: IXYS 系列: BIMOSFET™ 包装: 管件 零件状态: 有源 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 7V @ 15V，5A 开关能量: - 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: - 测试条件: 960V，5A，27 欧姆，10V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-247-3 供应商器件封装: TO-247AD（IXBH） 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1600 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 9 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 10 A 功率 - 最大值: 100 W 栅极电荷: 34 nC 基本产品编号: IXBH9N160
MCC500-20IO1
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: SCR THY PHASE LEG 2000V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 16500A @ 50Hz 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 545 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1294 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 3 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 300 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 1 A 基本产品编号: MC*500
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: SCR THY PHASE LEG 2000V WC-500
制造商: IXYS 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 停產 结构: 串联 - 全部为 SCR SCR 数，二极管: 2 SCRs 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 16500A @ 50Hz 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: WC-500 电压 - 断态: 2 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 545 A 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）: 1294 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 3 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 300 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 1 A 基本产品编号: MC*500
DPF60XA400NA
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座安装 二极管 400V 60A SOT-227B
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227B 基本零件编号: DPF*X
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: 标准 底座安装 二极管 400V 60A SOT-227B
类别: 分立半导体产品 制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 400V 电流-平均整流（Io）: 60A 速度: 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: SOT-227-4，miniBLOC 供应商器件封装: SOT-227B 基本零件编号: DPF*X