IXFH7N100P

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单个
描述
MOSFET N-CH 1000V 7A TO247

物料参数

制造商:IXYS
系列:HiPerFET™, Polar™
包装:管件
零件状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.9 欧姆 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):6V @ 1mA
Vgs(最大值):±30V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):300W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-247
封装/外壳:TO-247-3
漏源电压(Vdss):1000 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):47 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2590 pF @ 25 V
基本产品编号:IXFH7