IXYS
IXYS is a pioneer in the development of power semiconductors, integrated circuits and RF systems that effectively monitor electrical voltage to produce maximum effect with least expenditure of energy.
商品列表
DSB60C45HB
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AD
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3P-3 整包 供应商器件封装: TO-247AD（HB） 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 mA @ 45 V 基本产品编号: DSB60C45
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 阵列
描述: DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO247AD
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 有源 二极管配置: 1 对共阴极 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）: 30A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-3P-3 整包 供应商器件封装: TO-247AD（HB） 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 45 V 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 620 mV @ 30 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 mA @ 45 V 基本产品编号: DSB60C45
VHFD16-16IO1
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: RECT BRIDGE 1PH 1600V V1A-PAK
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 结构: 单相电桥 - SCR/二极管（布局 1） SCR 数，二极管: 2 个 SCR，4 个二极管 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 150A，170A 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: V1A-PAK 电压 - 断态: 1.6 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 16 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 65 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 100 mA 基本产品编号: VHFD16
供应商: DigiKey
分类: 晶闸管 - SCR - 模块
描述: RECT BRIDGE 1PH 1600V V1A-PAK
制造商: IXYS 系列: - 包装: 散装 零件状态: 有源 结构: 单相电桥 - SCR/二极管（布局 1） SCR 数，二极管: 2 个 SCR，4 个二极管 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm): 150A，170A 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: V1A-PAK 电压 - 断态: 1.6 kV 电流 - 通态 (It (AV))（最大值）: 16 A 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）: 1 V 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）: 65 mA 电流 - 保持 (Ih)（最大值）: 100 mA 基本产品编号: VHFD16
IXFN26N90
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 底座安装 N 沟道 900V 26A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
Vgs(th)(Max)@Id: 5V @ 8mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 240 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: SOT-227B BaseProductNumber: IXFN26 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 26A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: IXYS CaliforniaProp65: PowerDissipation(Max): 600W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 900 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Not For New Designs RdsOn(Max)@Id,Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Package/Case: SOT-227-4, miniBLOC MoistureSensitivityLevel(MSL): Not Applicable ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Chassis Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 10800 pF @ 25 V Series: HiPerFET™ FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 底座安装 N 沟道 900V 26A（Tc） 600W（Tc） SOT-227B
Vgs(th)(Max)@Id: 5V @ 8mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 10V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 240 nC @ 10 V SupplierDevicePackage: SOT-227B BaseProductNumber: IXFN26 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 26A (Tc) Vgs(Max): ±20V Mfr: IXYS CaliforniaProp65: PowerDissipation(Max): 600W (Tc) RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 900 V OperatingTemperature: -55°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Not For New Designs RdsOn(Max)@Id,Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V Package/Case: SOT-227-4, miniBLOC MoistureSensitivityLevel(MSL): Not Applicable ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Chassis Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 10800 pF @ 25 V Series: HiPerFET™ FETType: N-Channel Package: Tube HTSUS: 8541.29.0095
MIXA20WB1200TML
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 28A MINIPACK2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 在售 IGBT 类型: PT 配置: 三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 28 A 功率 - 最大值: 100 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，16A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100 µA 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: MiniPack2 供应商器件封装: MiniPack2 基本产品编号: MIXA20
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 28A MINIPACK2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 在售 IGBT 类型: PT 配置: 三相反相器，带制动器 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 28 A 功率 - 最大值: 100 W 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.1V @ 15V，16A 电流 - 集电极截止（最大值）: 100 µA 输入: 三相桥式整流器 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: MiniPack2 供应商器件封装: MiniPack2 基本产品编号: MIXA20
IXTP42N15T
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
制造商: IXYS 系列: TrenchHV™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 200W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 150 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1880 pF @ 25 V 基本产品编号: IXTP42
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 150V 42A TO220AB
制造商: IXYS 系列: TrenchHV™ 包装: 管件 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 45 毫欧 @ 500mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 250µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 200W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220AB 封装/外壳: TO-220-3 漏源电压（Vdss）: 150 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 21 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1880 pF @ 25 V 基本产品编号: IXTP42
DSEP15-03A
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC
制造商: IXYS 系列: HiPerFRED™ 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 15A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220AC 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 300 V 反向恢复时间 (trr): 30 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.68 V @ 15 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 300 V
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 300V 15A TO220AC
制造商: IXYS 系列: HiPerFRED™ 包装: 管件 零件状态: 停产 二极管类型: 标准 电流 - 平均整流 (Io): 15A 速度: 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） 不同 Vr、F 时电容: - 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-220-2 供应商器件封装: TO-220AC 工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 300 V 反向恢复时间 (trr): 30 ns 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.68 V @ 15 A 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 100 µA @ 300 V
VII25-12P1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 30A 130W ECO-PAC2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 停产 IGBT 类型: NPT 配置: 半桥 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.3V @ 15V，25A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: ECO-PAC2 供应商器件封装: ECO-PAC2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30 A 功率 - 最大值: 130 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 900 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1 nF @ 25 V 基本产品编号: VII
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - IGBT - 模块
描述: IGBT MOD 1200V 30A 130W ECO-PAC2
制造商: IXYS 系列: - 包装: 盒 零件状态: 停产 IGBT 类型: NPT 配置: 半桥 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 3.3V @ 15V，25A 输入: 标准 NTC 热敏电阻: 是 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: ECO-PAC2 供应商器件封装: ECO-PAC2 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 30 A 功率 - 最大值: 130 W 电流 - 集电极截止（最大值）: 900 µA 不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1 nF @ 25 V 基本产品编号: VII
IXGT45N120
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 75A 300W TO268
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，45A 开关能量: 14mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 55ns/370ns 测试条件: 960V，45A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 供应商器件封装: TO-268 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 75 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A 功率 - 最大值: 300 W 栅极电荷: 170 nC 基本产品编号: IXGT45
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
描述: IGBT 1200V 75A 300W TO268
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 在售 IGBT 类型: - 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: 2.5V @ 15V，45A 开关能量: 14mJ（关） 输入类型: 标准 25°C 时 Td（开/关）值: 55ns/370ns 测试条件: 960V，45A，5 欧姆，15V 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA 供应商器件封装: TO-268 电压 - 集射极击穿（最大值）: 1200 V 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 75 A 电流 - 集电极脉冲 (Icm): 180 A 功率 - 最大值: 300 W 栅极电荷: 170 nC 基本产品编号: IXGT45
IXTC180N085T
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.1 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 85 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8800 pF @ 25 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220
制造商: IXYS 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停產 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 110A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.1 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA Vgs（最大值）: ±20V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 150W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: ISOPLUS220™ 封装/外壳: ISOPLUS220™ 漏源电压（Vdss）: 85 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 170 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 8800 pF @ 25 V
IXTY1R4N120PHV
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
制造商: IXYS 系列: Polar™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 欧姆 @ 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 100µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 86W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 24.8 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 666 pF @ 25 V 基本产品编号: IXTY1
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
制造商: IXYS 系列: Polar™ 包装: 管件 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.4A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 欧姆 @ 700mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 100µA Vgs（最大值）: ±30V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 86W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: TO-252 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 漏源电压（Vdss）: 1200 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 24.8 nC @ 10 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 666 pF @ 25 V 基本产品编号: IXTY1