EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC2001C
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 5mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具剖面（11 焊条） 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 900 pF @ 50 V 基本产品编号: EPC2001
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 36A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 7 毫欧 @ 25A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 5mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具剖面（11 焊条） 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 900 pF @ 50 V 基本产品编号: EPC2001
EPC2051
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.5mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.1 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 258 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 3A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 1.5mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 2.1 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 258 pF @ 50 V
EPC9101
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: EVAL DEV EPC2015/2014 EGAN FETS
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停产 主要用途: DC/DC，步降 输出和类型: 1，非隔离 电压 - 输出: 1.2V 电流 - 输出: 18A 电压 - 输入: 8V ~ 19V 稳压器拓扑: 降压 频率 - 开关: 1MHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: EPC2014，EPC2015
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: EVAL DEV EPC2015/2014 EGAN FETS
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停产 主要用途: DC/DC，步降 输出和类型: 1，非隔离 电压 - 输出: 1.2V 电流 - 输出: 18A 电压 - 输入: 8V ~ 19V 稳压器拓扑: 降压 频率 - 开关: 1MHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: EPC2014，EPC2015
EPC2111ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 30V 16A（Ta） 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 30V 16A（Ta） 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 16A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 2.2nC @ 5V，5.7nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 230pF @ 15V，590pF @ 15V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
EPC2037
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 550 毫欧 @ 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 80µA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.12 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 550 毫欧 @ 100mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 80µA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.12 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 14 pF @ 50 V
EPC8002
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 5V SupplierDevicePackage: Die Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 2A (Ta) Vgs(Max): +6V, -4V Mfr: EPC PowerDissipation(Max): - RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 65 V OperatingTemperature: -40°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Package/Case: Die MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 21 pF @ 32.5 V Series: eGaN® FETType: N-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 250µA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 5V SupplierDevicePackage: Die Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 2A (Ta) Vgs(Max): +6V, -4V Mfr: EPC PowerDissipation(Max): - RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 65 V OperatingTemperature: -40°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Package/Case: Die MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 21 pF @ 32.5 V Series: eGaN® FETType: N-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0095
EPC9205
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: EVAL BOARD FOR EPC2045
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: GaNFET Driver Circuit Uses 4.5V ~ 5.5V UtilizedIC/Part: EPC2045 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: - HTSUS: 8504.40.9580
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: EVAL BOARD FOR EPC2045
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: GaNFET Driver Circuit Uses 4.5V ~ 5.5V UtilizedIC/Part: EPC2045 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: - HTSUS: 8504.40.9580
EPC9027
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC8007 40V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC8007 主要属性: 40V，4A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC8007 40V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC8007 主要属性: 40V，4A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
EPC9126HC
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: LIDAR DEMO BOARD 100V EPC2001C
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: 激光驱动器 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2001C 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: 板载 LED，测试点 基本产品编号: EPC9126
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: LIDAR DEMO BOARD 100V EPC2001C
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: 激光驱动器 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2001C 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: 板载 LED，测试点 基本产品编号: EPC9126
EPC9013
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2001C 主要属性: 100V，35A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2001C 主要属性: 100V，35A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压