EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC9201
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: DEV GAN 1/2 BRIDGE 2015 W/LM5113
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2015 主要属性: 30V，40A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 4.5V ~ 5V 电压
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: DEV GAN 1/2 BRIDGE 2015 W/LM5113
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2015 主要属性: 30V，40A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 4.5V ~ 5V 电压
EPC8009ENGR
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
应用说明: Assembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal Procedure 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: eGaN® 包装: 托盘 FET类型: GaNFET N 通道，氮化镓 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 65V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.1A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 138 毫欧 @ 500mA，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 0.38nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 47pF @ 32.5V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具 配用: 917-1070-ND- EVAL BOARD GAN ZVS CLASS D AMP917-1144-ND- BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN F 其它名称: 917-EPC8009ENGREPC8009ENGG
供应商: DigiKey
分类: 分立半导体产品
应用说明: Assembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal Procedure 类别: 分立半导体产品 家庭: FET - 单 系列: eGaN® 包装: 托盘 FET类型: GaNFET N 通道，氮化镓 FET功能: 标准 漏源极电压（Vdss）: 65V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 4.1A（Ta） 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 138 毫欧 @ 500mA，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷（Qg）: 0.38nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）: 47pF @ 32.5V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具 配用: 917-1070-ND- EVAL BOARD GAN ZVS CLASS D AMP917-1144-ND- BOARD DEV FOR EPC8009 65V EGAN F 其它名称: 917-EPC8009ENGREPC8009ENGG
EPC9064
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2108 100V EGAN
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: 60V, 1.5A Max Output GaNFET Capability ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V UtilizedIC/Part: EPC2108 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: No HTSUS: 8473.30.1180
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2108 100V EGAN
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: 60V, 1.5A Max Output GaNFET Capability ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V UtilizedIC/Part: EPC2108 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: No HTSUS: 8473.30.1180
GANFETBOOK-WIPO
供应商: DigiKey
分类: 书籍，媒体
描述: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: 手册 标题: 无线电源手册（eGaN®FET 之旅继续） 作者: Michael A. de Rooij 出版商: - ISBN: -
供应商: DigiKey
分类: 书籍，媒体
描述: TEXT WIRELESS POWER HANDBOOK
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 类型: 手册 标题: 无线电源手册（eGaN®FET 之旅继续） 作者: Michael A. de Rooij 出版商: - ISBN: -
EPC2032
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 48A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 11mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1530 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 48A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 48A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 11mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 100 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 15 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1530 pF @ 50 V
EPC2202
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 80V 18A DIE
制造商: EPC 系列: Automotive, AEC-Q101, eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 11A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 3mA Vgs（最大值）: +5.75V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具剖面（6 焊条） 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 80 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 415 pF @ 50 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 80V 18A DIE
制造商: EPC 系列: Automotive, AEC-Q101, eGaN® 零件状态: 在售 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 18A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 17 毫欧 @ 11A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 3mA Vgs（最大值）: +5.75V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具剖面（6 焊条） 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 80 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 4 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 415 pF @ 50 V
EPC2030ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET NCH 40V 31A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: Digi-Key 停产 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 16mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF @ 20 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET NCH 40V 31A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: Digi-Key 停产 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 2.4 毫欧 @ 30A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 16mA Vgs（最大值）: +6V，-4V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 40 V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 18 nC @ 5 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1900 pF @ 20 V
EPC2045
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 5mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 5V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 6.5 nC @ 5 V SupplierDevicePackage: Die BaseProductNumber: EPC20 Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 16A (Ta) Vgs(Max): +6V, -4V Mfr: EPC PowerDissipation(Max): - RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 100 V OperatingTemperature: -40°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Not For New Designs RdsOn(Max)@Id,Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Package/Case: Die MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 685 pF @ 50 V Series: eGaN® FETType: N-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0040
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 5mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 5V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 6.5 nC @ 5 V SupplierDevicePackage: Die BaseProductNumber: EPC20 Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 16A (Ta) Vgs(Max): +6V, -4V Mfr: EPC PowerDissipation(Max): - RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 100 V OperatingTemperature: -40°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Not For New Designs RdsOn(Max)@Id,Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V Package/Case: Die MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 685 pF @ 50 V Series: eGaN® FETType: N-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0040
EPC8004ENGR
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
应用说明: eGaN FETs for Multi-Megahertz Hard Switching ApplicationsAssembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal Procedure
供应商: DigiKey
分类: FET - 单
应用说明: eGaN FETs for Multi-Megahertz Hard Switching ApplicationsAssembling eGaN® FETsDie Attach ProcedureDie Removal Procedure
EPC2023
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 30V 60A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.3 毫欧 @ 40A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 20mA FET 功能: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2300 pF @ 15 V
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 30V 60A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 有源 FET 类型: N 通道 技术: GaNFET（氮化镓） 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 60A（Ta） 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 1.3 毫欧 @ 40A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 20mA FET 功能: - 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具 漏源电压（Vdss）: 30 V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2300 pF @ 15 V