EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC2023ENG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 20mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 20nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2300pF @ 15V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.3 毫欧 @ 40A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 30V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 60A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 20mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 20nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 2300pF @ 15V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 1.3 毫欧 @ 40A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2014
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16 毫欧 @ 5A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 2.8nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 325pF @ 20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具剖面（5 焊条） 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 40V 10A（Ta） 模具剖面（5 焊条）
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 10A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16 毫欧 @ 5A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 2.8nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 325pF @ 20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具剖面（5 焊条） 封装/外壳: 模具
EPC2015
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 40V 33A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 33A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 33A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11.6nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1200pF @ 20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具剖面（11 焊条） 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 40V 33A（Ta） 模具剖面（11 焊条）
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 33A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 33A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11.6nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1200pF @ 20V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具剖面（11 焊条） 封装/外壳: 模具
EPC2016
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 11A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16 毫欧 @ 11A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 3mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 5.2nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 520pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 100V 11A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 11A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 16 毫欧 @ 11A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 3mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 5.2nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 520pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 125°C （TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC9144
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: EPC2216 LIDAR TOF DEMO BOARD
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Laser Driver Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: On-Board Test Points UtilizedIC/Part: EPC9144 Mfr: EPC Package: Box Embedded: - HTSUS: 8543.70.9860
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: EPC2216 LIDAR TOF DEMO BOARD
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Laser Driver Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: On-Board Test Points UtilizedIC/Part: EPC9144 Mfr: EPC Package: Box Embedded: - HTSUS: 8543.70.9860
EPC9092
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC2052 电源管理 Evaluation Board
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: - Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: EPC2052 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: - HTSUS: 8543.70.9860
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC2052 电源管理 Evaluation Board
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: - Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: EPC2052 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: - HTSUS: 8543.70.9860
EPC9078
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2045 100V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2045 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2045 100V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2045 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC9107
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: BOARD EVAL FOR EPC2015
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 主要用途: DC/DC，步降 输出和类型: 1，非隔离 电压 - 输出: 3.3V 电流 - 输出: 15A 电压 - 输入: 9V ~ 28V 稳压器拓扑: 降压 频率 - 开关: 1MHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: EPC2015
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: BOARD EVAL FOR EPC2015
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 停產 主要用途: DC/DC，步降 输出和类型: 1，非隔离 电压 - 输出: 3.3V 电流 - 输出: 15A 电压 - 输入: 9V ~ 28V 稳压器拓扑: 降压 频率 - 开关: 1MHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: EPC2015
EPC9081
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC2047 Power Management Evaluation Board
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的IC/零件: EPC2047 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: EPC2047 Power Management Evaluation Board
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的IC/零件: EPC2047 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC2104ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: Digi-Key 停止提供 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7nC @ 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 800pF @ 50V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: Digi-Key 停止提供 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 23A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 5.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 7nC @ 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 800pF @ 50V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具