EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC2037ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 550 毫欧 @ 100mA，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 80µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.12nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 12.5pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 100V 1A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 550 毫欧 @ 100mA，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 80µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.12nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 12.5pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2036ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1.7A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 600µA Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 90pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 停產 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 1.7A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 600µA Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 90pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC9115
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: Digi-Key 停止提供 主要用途: DC/DC，步降 输出和类型: 1，隔离 电压 - 输出: 12V 电流 - 输出: 5A 电压 - 输入: 48V ~ 60V 稳压器拓扑: 降压 频率 - 开关: 300kHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: EPC2020，EPC2021
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: EVAL BOARD GAN EPC2020/EPC2021
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: Digi-Key 停止提供 主要用途: DC/DC，步降 输出和类型: 1，隔离 电压 - 输出: 12V 电流 - 输出: 5A 电压 - 输入: 48V ~ 60V 稳压器拓扑: 降压 频率 - 开关: 300kHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: EPC2020，EPC2021
EPC9087
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2037 100V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2037 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2037 100V EGAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: - 使用的 IC/零件: EPC2037 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC2103ENG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 80V 23A 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 23A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.5nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 760pF @ 40V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 80V 23A 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 23A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.5 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 6.5nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 760pF @ 40V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
EPC2019
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 1.5mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 5V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 2.9 nC @ 5 V SupplierDevicePackage: Die BaseProductNumber: EPC20 Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 8.5A (Ta) Vgs(Max): +6V, -4V Mfr: EPC PowerDissipation(Max): - RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 200 V OperatingTemperature: -40°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V Package/Case: Die MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 288 pF @ 100 V Series: eGaN® FETType: N-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0040
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Vgs(th)(Max)@Id: 2.5V @ 1.5mA Category: Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs FETFeature: - DriveVoltage(MaxRdsOn,MinRdsOn): 5V GateCharge(Qg)(Max)@Vgs: 2.9 nC @ 5 V SupplierDevicePackage: Die BaseProductNumber: EPC20 Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Current-ContinuousDrain(Id)@25°C: 8.5A (Ta) Vgs(Max): +6V, -4V Mfr: EPC PowerDissipation(Max): - RoHSStatus: ROHS3 Compliant DraintoSourceVoltage(Vdss): 200 V OperatingTemperature: -40°C ~ 150°C (TJ) ProductStatus: Active RdsOn(Max)@Id,Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V Package/Case: Die MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected MountingType: Surface Mount InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds: 288 pF @ 100 V Series: eGaN® FETType: N-Channel Package: Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® HTSUS: 8541.29.0040
EPC2032ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 100V 48A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 48A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 30A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 11mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 15nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1530pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
描述: 表面贴装 N 沟道 100V 48A（Ta） 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 48A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 30A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 11mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 15nC @ 5V Vgs（最大值）: +6V，-4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1530pF @ 50V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC2022ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 90A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 12mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 13nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1400pF @ 50V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.2 毫欧 @ 25A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 剪切带（CT） 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 90A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 12mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 13nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1400pF @ 50V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.2 毫欧 @ 25A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
GANFETBOOK-DC/DC
供应商: DigiKey
分类: 书籍，媒体
描述: TEXT DC-DC CONVERTER HANDBOOK
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 手册 标题: DC-DC 转换器手册 作者: David Reusch，John Glaser 出版商: 高效电源出版物 ISBN: 9780996649209
供应商: DigiKey
分类: 书籍，媒体
描述: TEXT DC-DC CONVERTER HANDBOOK
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 手册 标题: DC-DC 转换器手册 作者: David Reusch，John Glaser 出版商: 高效电源出版物 ISBN: 9780996649209
EPC2112ENGRT
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 全，半桥驱动器
描述: 低端 Driver DC-DC 转换器 MOSFET（金属氧化物） 10-BGA（2.9x1.1）
类别: 集成电路（IC） 制造商: EPC 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 输出配置: 低端 应用: DC-DC 转换器 接口: 开/关 负载类型: 电感 技术: MOSFET（金属氧化物） 导通电阻（典型值）: 32 毫欧 电流-输出/通道: 10A 电流-峰值输出: 40A 电压-电源: 4.5V ~ 5.5V 电压-负载: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 特性: - 故障保护: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 10-XFBGA 供应商器件封装: 10-BGA（2.9x1.1）
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 全，半桥驱动器
描述: 低端 Driver DC-DC 转换器 MOSFET（金属氧化物） 10-BGA（2.9x1.1）
类别: 集成电路（IC） 制造商: EPC 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 输出配置: 低端 应用: DC-DC 转换器 接口: 开/关 负载类型: 电感 技术: MOSFET（金属氧化物） 导通电阻（典型值）: 32 毫欧 电流-输出/通道: 10A 电流-峰值输出: 40A 电压-电源: 4.5V ~ 5.5V 电压-负载: 4.5V ~ 5.5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 特性: - 故障保护: - 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 10-XFBGA 供应商器件封装: 10-BGA（2.9x1.1）