EPC
EPC 是增强模式氮化镓型功率管理器件领导厂商。 EPC 第一个推出增强模式硅基氮化镓 (eGaN) FET，可替代众多应用中的功率 MOSFET，如 DC-DC 转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、 遥感技术 (LiDAR) 以及 D 类音频放大器，其性能高于最好的硅功率 MOSFET 数倍。
商品列表
EPC9138
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: DEMO BD 48V - 12V 20 A BUCK CONV
类型: 电源管理 功能: - 嵌入式: - 使用的IC/零件: - 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
描述: DEMO BD 48V - 12V 20 A BUCK CONV
类型: 电源管理 功能: - 嵌入式: - 使用的IC/零件: - 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: -
EPC9001
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2015 主要属性: 40V，15A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: BOARD DEV FOR EPC2015 40V GAN
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 有源 类型: 电源管理 功能: 半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2015 主要属性: 40V，15A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
EPC2106ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: Digi-Key 停产 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 70 毫欧 @ 2A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.73nC @ 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 75pF @ 50V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: GAN TRANS 2N-CH 100V BUMPED DIE
制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: Digi-Key 停产 FET 类型: 2 个 N 通道（半桥） FET 功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 70 毫欧 @ 2A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.5V @ 600µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 0.73nC @ 5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 75pF @ 50V 功率 - 最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
EPC9051
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: DEV BOARD FOR EPC2037
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2037 主要属性: 100V，1A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: DEV BOARD FOR EPC2037
制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 散装 零件状态: 在售 类型: 电源管理 功能: * 嵌入式: 无 使用的 IC/零件: EPC2037 主要属性: 100V，1A 最大输出 GaNFET 功率 所含物品: 板 辅助属性: GaNFET 驱动器电路使用 7V ~ 12V 电压
EPC9023
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 主要用途: 电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 否 使用的IC/零件: EPC8003 主要属性: - 辅助属性: - 所含物品: 板
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板和套件
类别: 开发板，套件，编程器 制造商: EPC 系列: eGaN® 零件状态: 在售 主要用途: 电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） 嵌入式: 否 使用的IC/零件: EPC8003 主要属性: - 辅助属性: - 所含物品: 板
EPC2104ENG
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 100V 23A 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 23A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 5.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 7nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 800pF @ 50V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 100V 23A 表面贴装 模具
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: Digi-Key 停产 FET类型: 2 个 N 通道（半桥） FET功能: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 100V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 23A 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 6.3 毫欧 @ 20A，5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 5.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 7nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 800pF @ 50V 功率-最大值: - 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
EPC2815
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 过期 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 33A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11.6nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1200pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 33A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: 过期 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源极电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 33A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 9mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 11.6nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1200pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 4 毫欧 @ 33A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC9128
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: CLASS 3 WIRELESS POWER DEMONSTRA
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Wireless Power Supply/Charging Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: EPC2019, EPC2036, EPC2108 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: No HTSUS: 8543.70.9860
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: CLASS 3 WIRELESS POWER DEMONSTRA
Category: Development Boards, Kits, ProgrammersEvaluation and Demonstration Boards and Kits RoHSStatus: ROHS3 Compliant ProductStatus: Active PrimaryAttributes: - MoistureSensitivityLevel(MSL): 1 (Unlimited) ECCN: EAR99 REACHStatus: REACH Unaffected Series: eGaN® Function: Wireless Power Supply/Charging Type: Power Management SuppliedContents: Board(s) SecondaryAttributes: - UtilizedIC/Part: EPC2019, EPC2036, EPC2108 Mfr: EPC Package: Bulk Embedded: No HTSUS: 8543.70.9860
EPC2029ENGRT
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源极电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 12mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 13nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1400pF @ 40V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.2 毫欧 @ 30A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: Digi-Reel® 零件状态: Digi-Key 已不再提供 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源极电压（Vdss）: 80V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 31A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 12mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 13nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1400pF @ 40V Vgs（最大值）: +6V，-4V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 3.2 毫欧 @ 30A，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
EPC8008ENGR
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.7A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.18nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 25pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 325 毫欧 @ 500mA，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单
类别: 分立半导体产品 制造商: EPC 系列: eGaN® 包装: 托盘 零件状态: 在售 FET类型: N 沟道 技术: GaNFET（氮化镓） 漏源电压（Vdss）: 40V 电流-连续漏极（Id）（25°C时）: 2.7A（Ta） 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 0.18nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 25pF @ 20V Vgs（最大值）: +6V，-5V FET功能: - 功率耗散（最大值）: - 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 325 毫欧 @ 500mA，5V 工作温度: -40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装 供应商器件封装: 模具 封装/外壳: 模具