EPC2040ENGRT

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分立半导体产品>>晶体管 - FET,MOSFET - 单
描述
表面贴装 N 沟道 15V 3.4A(Ta) 模具

物料参数

类别:分立半导体产品
制造商:EPC
系列:eGaN®
包装:Digi-Reel®
零件状态:Digi-Key 停产
FET类型:N 沟道
技术:GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss):15V
电流-连续漏极(Id)(25°C时):3.4A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):5V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):28 毫欧 @ 1.5A,5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值):0.93nC @ 5V
Vgs(最大值):+6V,-4V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):100pF @ 6V
FET功能:-
功率耗散(最大值):-
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:模具
封装/外壳:模具