SPS

SM4616PRL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：2W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.75nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：740pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

MJW0281AT4TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:250V 电流:15A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):15A 集射极击穿电压(Vceo):250V 功率(Pd):150W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):75@1A,5V

SM4606PRL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,6A；28mΩ@10V,6.5A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj) -

2SC4131T5TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:50V 电流:15A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):15A 集射极击穿电压(Vceo):50V 功率(Pd):60W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):60@5A,1V

SM4807PRL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40.6mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.35nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：760pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：95pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SM6362D1RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SM32314D1RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.42nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：95pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

SMIRF8N60T1TL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：152W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.16nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@25V 工作温度：+150℃@(Tj)

SM514T9RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：46A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.1mΩ@10V,20A

SPT15N120F1T8TL
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT管
描述: SPT15N120F1T8TL