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SM4842PRL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:2个N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):7.7A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,7.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):1.75nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):373pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):41pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
SM3012T9RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:20A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):20.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,10A;28mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA
SMIRF8N65T2TL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):900mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):20nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.12nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):10pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj)
SPT40N120F1A1T8TL
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT管
描述: SPT40N120F1A1T8TL
2SC3320T4TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:400V 电流:15A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):15A 集射极击穿电压(Vceo):400V 功率(Pd):80W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@6A,5V
SM6536D1RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):55A 功率(Pd):35.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A
SPT50N65F1A1T8TL
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT管
描述: SPT50N65F1A1T8TL
SM6358D1RL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
2SA1744T2TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:60V 电流:15A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):15A 集射极击穿电压(Vceo):60V 功率(Pd):30W
SMIRF16N65T2TL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)