SPS

场效应管(MOSFET)

类型：1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 功率(Pd)：2W 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.75nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：740pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：82pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)