SPS

场效应管(MOSFET)

类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：40.6mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.8V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.35nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：760pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：95pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)