SPTECH
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MJE15030
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管150V 8A TO220C
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 150V 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 50pcs 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅NPN功率晶体管150V 8A TO220C
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 150V 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 50pcs 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: NPN
SPT25N120T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 50A 关断损耗: 0.75mJ 关断延迟时间: 200ns 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.65V 极性: NPN 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 45ns 零件状态: Active DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/25A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 50A 关断损耗: 0.75mJ 关断延迟时间: 200ns 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.65V 极性: NPN 跃迁频率: - 封装/外壳: TO-247-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 45ns 零件状态: Active DC电流增益(hFE): -
TIP150
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 集电极-基极电压（VCBO）: 300V 集射极击穿电压Vce(Max): 300V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 7A 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 配置: 单路 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50@5A，5V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 集电极-基极电压（VCBO）: 300V 集射极击穿电压Vce(Max): 300V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 7A 集电极-发射极电压 VCEO: 300V 配置: 单路 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50@5A，5V 引脚数: 3Pin
SPT10N120T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/10A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 20A 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.17mJ 功率耗散: 260W 关断延迟时间: 70ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.6V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 1.2mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 22ns DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/10A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 20A 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.17mJ 功率耗散: 260W 关断延迟时间: 70ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.6V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 1.2mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 30pcs 开通延迟时间: 22ns DC电流增益(hFE): -
2SC3835
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 70W 额定功率: 70W 集电极-基极电压（VCBO）: 200V Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 220
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 70W 额定功率: 70W 集电极-基极电压（VCBO）: 200V Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 最小包装: 30pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 20.10mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 220
2SC6104
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=15A Vceo=50V hfe=60~360 P=60W 预偏置
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 基极电阻（R1）: - 集射极击穿电压Vce(Max): 50V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 基射极电阻（R2）: - 跃迁频率: 18MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 10μA 集电极电流 Ic: 15A 特征频率(fT): 18MHz 高度: 26.20mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=15A Vceo=50V hfe=60~360 P=60W 预偏置
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 基极电阻（R1）: - 集射极击穿电压Vce(Max): 50V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 基射极电阻（R2）: - 跃迁频率: 18MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极截止电流 (Icbo): 10μA 集电极电流 Ic: 15A 特征频率(fT): 18MHz 高度: 26.20mm 零件状态: Active 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 60~360
2SC5198
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing 跃迁频率: 30MHz 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 160 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing 跃迁频率: 30MHz 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 140V 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 最小包装: 30pcs 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 160 引脚数: 3Pin
BU208
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 55W 额定功率: 55W 包装: Box packing 集射极击穿电压Vce(Max): 700V Vce饱和压降: 5V 极性: NPN 跃迁频率: 4MHz 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +115℃ 集电极电流 Ic: 5A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 4MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 2.25 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 55W 额定功率: 55W 包装: Box packing 集射极击穿电压Vce(Max): 700V Vce饱和压降: 5V 极性: NPN 跃迁频率: 4MHz 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.00mm 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: +115℃ 集电极电流 Ic: 5A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 特征频率(fT): 4MHz 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 2.25 引脚数: 3Pin
2SB863
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 140V Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 15MHz 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 100W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 140V Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 140V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: 15MHz 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 10A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SPT40N120T1B
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 80A 品牌: SPTECH 功率耗散: 260W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 416W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.7V 跃迁频率: - 导通损耗: 2.2mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 40A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 栅极电荷(Qg): 270nC@40A,15V 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/40A沟槽场阻IGBT
安装类型: 插件 正向电流: 80A 品牌: SPTECH 功率耗散: 260W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 416W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.7V 跃迁频率: - 导通损耗: 2.2mJ 封装/外壳: TO-247-3 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 40A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 栅极电荷(Qg): 270nC@40A,15V 晶体管类型: FS(场截止) DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin