SPTECH
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MJ11016
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tray 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 极性: NPN 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.67mm 存储温度: -55℃~+200℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -55℃~+200℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 30 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: 在售 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 1000
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 包装: Tray 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 极性: NPN 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.67mm 存储温度: -55℃~+200℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -55℃~+200℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 30 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: 在售 高度: 8.50mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 1000
2SC2625
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：400V 集电极电流(Ic)：10A 功率(Pd)：80W 集电极截止电流(Icbo)：1mA
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 450V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 1.2V 极性: NPN 跃迁频率: - 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 10 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：400V 集电极电流(Ic)：10A 功率(Pd)：80W 集电极截止电流(Icbo)：1mA
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 80W 集电极-基极电压（VCBO）: 450V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 80W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V Vce饱和压降: 1.2V 极性: NPN 跃迁频率: - 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 配置: 单路 原产国家: Chnia 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 发射极与基极之间电压 VEBO: 7V DC电流增益(hFE): 10 晶体管类型: NPN
BU406
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO220C 7A 60W
安装类型: 插件 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 400V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 60W 集射极击穿电压Vce(Max): 200V Vce饱和压降: 1V 包装: Tube packing 跃迁频率: 10MHz 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 200V 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 40
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: TO220C 7A 60W
安装类型: 插件 功率耗散: 60W 集电极-基极电压（VCBO）: 400V 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 60W 集射极击穿电压Vce(Max): 200V Vce饱和压降: 1V 包装: Tube packing 跃迁频率: 10MHz 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 200V 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 40
MJE15031
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管150V 5A TO220C
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 50W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 极性: PNP 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 150V 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 50pcs 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管150V 5A TO220C
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 50W 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 极性: PNP 跃迁频率: 20MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 150V 配置: 单路 特征频率(fT): 20MHz 最小包装: 50pcs 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 40 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
SPD15N65T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 品牌: SPTECH 功率耗散: 27W 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 1.65V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 导通损耗: 0.75mJ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 高度: 4.80mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 650V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 品牌: SPTECH 功率耗散: 27W 集射极击穿电压Vce(Max): 650V Vce饱和压降: 1.65V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 导通损耗: 0.75mJ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -40℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 最小包装: 50pcs 高度: 4.80mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): - 引脚数: 3Pin
SPT15N120T1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.31mJ 功率耗散: 208W 关断延迟时间: 330ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 1.9mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 上升/下降沿时间: 21ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 55ns DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.31mJ 功率耗散: 208W 关断延迟时间: 330ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 1.9mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 上升/下降沿时间: 21ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 55ns DC电流增益(hFE): -
FW26025A1
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅PNP达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tray 极性: PNP 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.67mm 存储温度: -55℃~+200℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -55℃~+200℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 8.50mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 1000
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅PNP达林顿功率晶体管
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tray 极性: PNP 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 39.00 x 26.67mm 存储温度: -55℃~+200℃ 封装/外壳: TO-204-2(TO-3) 工作温度: -55℃~+200℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 8.50mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 1000
2SA1746
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 60W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 25MHz 最小包装: 29pcs 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 额定功率: 60W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 25MHz 最小包装: 29pcs 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 50 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
MJE15029
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管120V 8A TO220C
安装类型: 插件 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 50W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 20
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管120V 8A TO220C
安装类型: 插件 是否无铅: 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 品牌: SPTECH 功率耗散: 50W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 50W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 20
MN638SVL-RP
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: SMT 集射极击穿电压Vce(Max): 350V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -55℃~+200℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 350V 配置: 单路 最小包装: 50 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 4.70mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 500@4A，2V
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: SMT 集射极击穿电压Vce(Max): 350V 包装: Tube packing 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-263(D²Pak) 工作温度: -55℃~+200℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 350V 配置: 单路 最小包装: 50 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 4.70mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 500@4A，2V