SPT25N120T1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/25A沟槽场阻IGBT

物料参数

安装类型:插件
正向电流:50A
关断损耗:0.75mJ
关断延迟时间:200ns
包装:Tube packing
集射极击穿电压Vce(Max):1.2KV
Vce饱和压降:1.65V
极性:NPN
跃迁频率:-
封装/外壳:TO-247-3
元件生命周期:Active
工作温度:-40℃~+150℃
配置:单路
最小包装:30pcs
开通延迟时间:45ns
零件状态:Active
DC电流增益(hFE):-