SPTECH
商品列表
2SA2198
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管50V 12A TO3PML
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 额定功率: 60W 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: PNP 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 高度: 26.00mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SPTECH硅PNP功率晶体管50V 12A TO3PML
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W 额定功率: 60W 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 500mV 极性: PNP 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 20.00 x 5.60mm 封装/外壳: TO3PML 工作温度: +150℃ 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 特征频率(fT): 25MHz 高度: 26.00mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 50 引脚数: 3Pin
TIP151
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 集电极-基极电压（VCBO）: 350V 集射极击穿电压Vce(Max): 350V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 350V 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50@5A，5V 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅NPN达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 集电极-基极电压（VCBO）: 350V 集射极击穿电压Vce(Max): 350V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 350V 配置: 单路 发射极与基极之间电压 VEBO: 8V 高度: 18.80mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 50@5A，5V 引脚数: 3Pin
2SA1940
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅PNP功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 80W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 120V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 2V 跃迁频率: 30MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.50 x 4.30mm 封装/外壳: TO3PI 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 最小包装: 30pcs 特征频率(fT): 30MHz 发射极基极导通电压VBE(on): 1.5V 高度: 20.10mm DC电流增益(hFE): 160 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
2SD884
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 40W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 200V Vce饱和压降: 1V 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 45 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 额定功率: 40W 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 200V Vce饱和压降: 1V 跃迁频率: 50MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 7A 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 50pcs 发射极基极导通电压VBE(on): 1.2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 45 引脚数: 3Pin
2SC5570
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1700V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 5V 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 极性: NPN 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 26.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 1700V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 5V 集射极击穿电压Vce(Max): 800V 极性: NPN 跃迁频率: 25MHz 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO-3PL 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 800V 配置: 单路 原产国家: Chnia 最小包装: 25pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V 高度: 26.00mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 30
TIP147T
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅PNP达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 原产国家: China 高度: 18.80mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 750 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 硅PNP达林顿功率晶体管
特性: 带预偏置电阻及保护二极管 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 60W Vce饱和压降: 2V 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 包装: Tube packing 极性: PNP 跃迁频率: - 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 存储温度: -65℃~+150℃ 封装/外壳: TO220C 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 8A 配置: 单路 原产国家: China 高度: 18.80mm 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 750 引脚数: 3Pin
SPT15N120F1
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.31mJ 功率耗散: 208W 关断延迟时间: 330ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 1.9mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 上升/下降沿时间: 21ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 55ns DC电流增益(hFE): -
供应商: Anychip Mall
分类: IGBT
描述: 1200V/15A沟槽场阻IGBT
正向电流: 30A 安装类型: 插件 品牌: SPTECH 关断损耗: 0.31mJ 功率耗散: 208W 关断延迟时间: 330ns 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 1.2KV Vce饱和压降: 1.7V 包装: Tube packing 跃迁频率: - 导通损耗: 1.9mJ 存储温度: -40℃~+150℃ 封装/外壳: TO-247-3 上升/下降沿时间: 21ns 工作温度: -40℃~+150℃ 配置: 单路 原产国家: China 开通延迟时间: 55ns DC电流增益(hFE): -
MJW0281A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 250V Vce饱和压降: 2V 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.00mm DC电流增益(hFE): 150 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 功率耗散: 150W 集电极-基极电压（VCBO）: 250V 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 250V Vce饱和压降: 2V 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 15.60 x 4.80mm 封装/外壳: TO3PN 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 15A 配置: 单路 发射极基极导通电压VBE(on): 2V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 20.00mm DC电流增益(hFE): 150 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
BU931T
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: NPN功率晶体管 TO220C
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C-3 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 10A 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 配置: 单路 最小包装: 50pcs 零件状态: 在售 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 300 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: NPN功率晶体管 TO220C
安装类型: 插件 特性: 带预偏置电阻及保护二极管 品牌: SPTECH 包装: Tube packing 集射极击穿电压Vce(Max): 400V 极性: NPN 跃迁频率: - 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO220C-3 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 10A 集电极-发射极电压 VCEO: 400V 配置: 单路 最小包装: 50pcs 零件状态: 在售 高度: 18.80mm DC电流增益(hFE): 300 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
2SC2073
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 25W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.5V 极性: NPN 跃迁频率: 4MHz 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 150V 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 4MHz DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 硅NPN功率晶体管
安装类型: 插件 品牌: SPTECH 功率耗散: 25W 原始制造商: SPTECH Electronics Co. Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 150V 包装: Tube packing Vce饱和压降: 1.5V 极性: NPN 跃迁频率: 4MHz 长x宽/尺寸: 10.20 x 4.50mm 封装/外壳: TO-220C 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 150V 集电极电流 Ic: 1.5A 配置: 单路 原产国家: Chnia 特征频率(fT): 4MHz DC电流增益(hFE): 140 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin