SPT15N120F1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/15A沟槽场阻IGBT

物料参数

正向电流:30A
安装类型:插件
品牌:SPTECH
关断损耗:0.31mJ
功率耗散:208W
关断延迟时间:330ns
原始制造商:SPTECH Electronics Co. Ltd
集射极击穿电压Vce(Max):1.2KV
Vce饱和压降:1.7V
包装:Tube packing
跃迁频率:-
导通损耗:1.9mJ
存储温度:-40℃~+150℃
封装/外壳:TO-247-3
上升/下降沿时间:21ns
工作温度:-40℃~+150℃
配置:单路
原产国家:China
开通延迟时间:55ns
DC电流增益(hFE):-
价格梯度 价格
1+¥7.1500
10+¥6.6000
30+¥6.4900
包装:1 库存:0