SPT25N120F1A1

品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/25A沟槽场阻IGBT

物料参数

正向电流:50A
安装类型:插件
功率耗散:250W
原始制造商:SPTECH Electronics Co. Ltd
Vce饱和压降:2V
集射极击穿电压Vce(Max):1.2KV
包装:Tube packing
跃迁频率:-
存储温度:-40℃~+150℃
封装/外壳:TO-247-3
上升/下降沿时间:32ns
工作温度:-40℃~+150℃
集电极电流 Ic:50A
配置:单路
原产国家:China
栅极电荷(Qg):125nC
DC电流增益(hFE):-