SPT25N120F1A1
品牌
SPTECH
供应商
分类
晶体管 > IGBT
描述
1200V/25A沟槽场阻IGBT
物料参数
正向电流: | 50A |
安装类型: | 插件 |
功率耗散: | 250W |
原始制造商: | SPTECH Electronics Co. Ltd |
Vce饱和压降: | 2V |
集射极击穿电压Vce(Max): | 1.2KV |
包装: | Tube packing |
跃迁频率: | - |
存储温度: | -40℃~+150℃ |
封装/外壳: | TO-247-3 |
上升/下降沿时间: | 32ns |
工作温度: | -40℃~+150℃ |
集电极电流 Ic: | 50A |
配置: | 单路 |
原产国家: | China |
栅极电荷(Qg): | 125nC |
DC电流增益(hFE): | - |