MATSUKI
商品列表
ME4626
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：21A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：62nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：5.73nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：220pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：21A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：62nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：5.73nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：220pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
ME2602
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,3.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：14nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：905pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：43pF@15V 工作温度：+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,3.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：14nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：905pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：43pF@15V 工作温度：+150℃@(Tj)
ME35N06-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25.4A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：25.4A 功率(Pd)：33W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：27mΩ@10V,20A
MESS84-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：30pF@5V 反向传输电容(Crss@Vds)：5pF@5V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：30pF@5V 反向传输电容(Crss@Vds)：5pF@5V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
ME2326A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：400mA 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@4.5V,250mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：4.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：361pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：5.6pF@15V 工作温度：+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：250V 连续漏极电流(Id)：400mA 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5Ω@4.5V,250mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：4.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：361pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：5.6pF@15V 工作温度：+150℃@(Tj)
ME2309
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.9A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,1.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.3nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：364pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：12pF@25V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：1.9A 功率(Pd)：1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,1.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：6.3nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：364pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：12pF@25V
ME4174
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15.8A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：19nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.64nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：84pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：15.8A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：19nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.64nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：84pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
ME4954-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.4nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.106nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：46pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：17.4nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.106nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：46pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
ME50P06-G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：61A 功率(Pd)：114W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,17A P沟道，-60V,-61A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：61A 功率(Pd)：114W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：17mΩ@10V,17A P沟道，-60V,-61A