MATSUKI
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ME110N10F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：217W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,70A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：217W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,70A
ME60N03AS
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：25V 连续漏极电流(Id)：53A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：840pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：25V 连续漏极电流(Id)：53A 功率(Pd)：40W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.7mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：11nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：840pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
ME9435
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:5.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.1A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,5.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:5.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.1A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):50mΩ@10V,5.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA