MESS84-G
品牌
MATSUKI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：130mA 功率(Pd)：225mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@5V,100mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：30pF@5V 反向传输电容(Crss@Vds)：5pF@5V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)