APEC

AP4228GM
供应商: Sense Electronic Company Limited

APE8865U4-28
供应商: Sense Electronic Company Limited

AP10TN008CMT
供应商: Sense Electronic Company Limited

AP2309GN
供应商: Sense Electronic Company Limited

AP4501AGM4-HF
供应商: Sense Electronic Company Limited

AP4525GEM
供应商: Sense Electronic Company Limited

AP2301GN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: p通道增强模式 VDS=20V VGS=±12V ID=2.6A SOT23
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 1.38W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 2.6A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 55pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 5nC 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 190mΩ 输入电容: 270pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.25mm 引脚数: 3Pin

AP2310GN
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23 1.38W
安装类型: SMT 品牌: APEC 功率耗散: 1.38W 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 50pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 6nC 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 90mΩ 输入电容: 780pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.08mm 引脚数: 3Pin

AP2302GN-HF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=3.2A SOT23
安装类型: SMT 品牌: APEC 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.2V 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 85mΩ@4.5V,3.6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 3.2A 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 反向传输电容Crss: 50pF 工作温度: -55℃~+150℃ 充电电量: 4.4nC 原产国家: China 输入电容: 145pF 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4.4nC 晶体管类型: N沟道 类型: 1个N沟道

AP1332GEU-HF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±8V ID=0.6A SOT323
安装类型: SMT 原始制造商: Advanced Power Electronics Corp. 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 600mA 极性: N-沟道 漏源击穿电压BVDSS: 20V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT323 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 60pF 栅极源极击穿电压: ±8V 反向传输电容Crss: 1.3pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2Ω 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 0.95mm 零件状态: Active 引脚数: 2pin