AP1332GEU-HF
品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±8V ID=0.6A SOT323
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 原始制造商: | Advanced Power Electronics Corp. |
| 包装: | Tape/reel |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 600mA |
| 极性: | N-沟道 |
| 漏源击穿电压BVDSS: | 20V |
| 存储温度: | -55℃~+150℃ |
| 封装/外壳: | SOT323 |
| 元件生命周期: | Active |
| 输入电容Ciss: | 60pF |
| 栅极源极击穿电压: | ±8V |
| 反向传输电容Crss: | 1.3pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 原产国家: | China Taiwan |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 2Ω |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 高度: | 0.95mm |
| 零件状态: | Active |
| 引脚数: | 2pin |