AP2302GN-HF

品牌
APEC
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道增强型功率MOSFET VDS=20V VGS=±12V ID=3.2A SOT23

物料参数

安装类型:SMT
阈值电压:1.2V
额定功率:1.38W
包装:Tape/reel
极性:N-沟道
连续漏极电流:3.2A
长x宽/尺寸:2.90 x 1.60mm
封装/外壳:SOT-23
元件生命周期:Active
栅极源极击穿电压:±12V
工作温度:-55℃~+150℃
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值):115mΩ
原产国家:China
最小包装:3000pcs
漏源电压(Vdss):20V
栅极电荷(Qg):4.4nC
高度:1.08mm
零件状态:Active
晶体管类型:N沟道
引脚数:3Pin