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AP120N03K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

AP2714SD
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：1个N沟道和1个P沟道 MOSFET类型 N+P 漏源电压(Vdss) (V) -40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 27/35 连续漏极电流ID (A) 12

AP3020
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>30V</SPAN> 连续漏极电流(Id)：11.8A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,11A MOSFET类型 N+N 漏源电压(Vdss) (V) 30 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 10/12 连续漏极电流ID (A) 10

AP6009S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：2.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,9A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 60 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 14/18 连续漏极电流ID (A) 9

AP2045KD
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:90A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):87W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.9mΩ@4.5V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):700mV@250uA

AP10N10K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

AP2310S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.4V@250μA N沟道,60V,3A

AP0903Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：3.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道,30V,16A,9mΩ@10V

AP75N04K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>75A</SPAN> 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,30A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.5 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 5.8/8 连续漏极电流ID (A) 60

AP8205A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：26mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA N沟道