AP15P03Q

品牌
ALLPOWER
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
MOSFETs P-沟道 30V 12A DFN3X3

物料参数

安装类型:SMT
是否无铅:Yes
功率耗散:900mW
击穿电压:-30V
阈值电压:-2.5V
额定功率:900mW
包装:Tape/reel
连续漏极电流:12A
封装/外壳:DFN3X3
元件生命周期:Active
反向传输电容Crss:220pF
工作温度:-55℃~+150℃
配置:单路
最小包装:5000pcs
通道数:1
漏源电压(Vdss):30V
栅极电荷(Qg):15nC
零件状态:Active
晶体管类型:P沟道
类型:1个P沟道