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类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：180W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,50A MOSFET类型 N 漏源电压(Vdss) (V) 40 阈值电压VGS ±20 Vth(V) 1-2.2 导通电阻RDS(ON) (mΩ) 2.4/2.8 连续漏极电流ID (A) 160