WILLSEMI
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ESDA6V8AV5-5/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: ESDA6V8AV5-5/TR 反向截止电压(Vrwm):5V@Max 最大钳位电压:12V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:3A@8/20us 击穿电压:6.2V -
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 12V 原始制造商: Shanghai Willsemi Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT553 元件生命周期: Active 结电容Cj: 16pF 工作温度: +150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 6.2V 最小包装: 3000pcs 电压-断态: 5V 高度: 0.60mm 零件状态: Active 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: ESDA6V8AV5-5/TR 反向截止电压(Vrwm):5V@Max 最大钳位电压:12V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:3A@8/20us 击穿电压:6.2V -
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 12V 原始制造商: Shanghai Willsemi Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT553 元件生命周期: Active 结电容Cj: 16pF 工作温度: +150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 6.2V 最小包装: 3000pcs 电压-断态: 5V 高度: 0.60mm 零件状态: Active 引脚数: 5Pin
WNM2016A-3/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: WNM2016A-3/TR
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 功率耗散: 1.4W 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.7A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 输入电容Ciss: 247pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.2nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 42mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 4.2nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: WNM2016A-3/TR
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 功率耗散: 1.4W 额定功率: 1.4W 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.7A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 输入电容Ciss: 247pF 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 4.2nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 42mΩ 栅极电荷(Qg)(Max): 4.2nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道
RB520S30-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:200mA 正向压降(Vf):600mV@200mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 包装: Tape/Reel 存储温度: -40~+125℃ 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 反向漏电流IR: 1μA 工作温度: +125℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 200mA 电流-DC正向（If）: 600mA 反向峰值电压（最大值）: - 反向耐压VR: 30V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 1A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 600mV 高度: 0.70mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:30V 电流:200mA 正向压降(Vf):600mV@200mA 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 包装: Tape/Reel 存储温度: -40~+125℃ 长x宽/尺寸: 1.30 x 0.90mm 封装/外壳: SOD523 反向漏电流IR: 1μA 工作温度: +125℃ 原产国家: China 平均整流电流IF: 200mA 电流-DC正向（If）: 600mA 反向峰值电压（最大值）: - 反向耐压VR: 30V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 1A 最小包装: 3000pcs 正向压降VF Max: 600mV 高度: 0.70mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
WNM6001-3/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:500mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):690mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 功率耗散: 690mW 额定功率: 690mW 连续漏极电流Id@25℃: 500mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 23.37pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.2nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2Ω 栅极电荷(Qg)(Max): 1.2nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:60V 电流:500mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):690mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 功率耗散: 690mW 额定功率: 690mW 连续漏极电流Id@25℃: 500mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.10 x 1.50mm 封装/外壳: SOT23 栅极源极击穿电压: ±20V 输入电容Ciss: 23.37pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 充电电量: 1.2nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 2Ω 栅极电荷(Qg)(Max): 1.2nC 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 1.30mm 晶体管类型: N沟道
ESD5431N-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 双向TVS 3.3V截止 10A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):3.3V 最大钳位电压:10V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:10A@8/20us 击穿电压:3.4V
工作电压VR-VI(max): 3.3V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压 VC: 10V 电源电压: 3.3V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 功率-峰值脉冲: 100W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 封装/外壳: DFN1006-2L_1X0.6MM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 3.4V 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 3.3V 高度: 0.53mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 双向TVS 3.3V截止 10A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):3.3V 最大钳位电压:10V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:10A@8/20us 击穿电压:3.4V
工作电压VR-VI(max): 3.3V 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压 VC: 10V 电源电压: 3.3V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 功率-峰值脉冲: 100W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 封装/外壳: DFN1006-2L_1X0.6MM 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 10A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 3.4V 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 3.3V 高度: 0.53mm 零件状态: Active
ESDA6V8UD-10/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 单向TVS 5V截止 4A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):5V 最大钳位电压:12V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:4A@8/20us 击穿电压:7V
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 5V 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 12V 电源电压: 5V 功率-峰值脉冲: 48W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.50 x 1.00mm 封装/外壳: DFN10_2.5X1MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 系列: ESD 极性（单双向）: 单向 击穿电压 V(BR)-min: 7V 最小包装: 3000pcs 通道数: 4 电压-断态: 5V 高度: 0.65mm 引脚数: 10Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 单向TVS 5V截止 4A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):5V 最大钳位电压:12V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:4A@8/20us 击穿电压:7V
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 5V 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 12V 电源电压: 5V 功率-峰值脉冲: 48W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.50 x 1.00mm 封装/外壳: DFN10_2.5X1MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 系列: ESD 极性（单双向）: 单向 击穿电压 V(BR)-min: 7V 最小包装: 3000pcs 通道数: 4 电压-断态: 5V 高度: 0.65mm 引脚数: 10Pin
ESD5451N-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD5451N-2/TR
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 9V 功率-峰值脉冲: 80W 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN1006-2L 元件生命周期: Active 工作温度: +125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 8A 极性（单双向）: 双向 保持电流（Ih）: 50mA 击穿电压 V(BR)-min: 5.1V 最小包装: 10000pcs 高度: 0.45mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD5451N-2/TR
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 9V 功率-峰值脉冲: 80W 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN1006-2L 元件生命周期: Active 工作温度: +125℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 8A 极性（单双向）: 双向 保持电流（Ih）: 50mA 击穿电压 V(BR)-min: 5.1V 最小包装: 10000pcs 高度: 0.45mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
WS4601E-5/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 功率电子开关
描述: WS4601E-5/TR
安装类型: SMT 复位阈值电压: 2.2V 品牌: Willsemi 供电电压: 2.5V~5.5V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 工作电压: 2.5V~5.5V 输入电压: 5V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 复位脉冲宽度: 8ms 封装/外壳: SOT23-5 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 原产国家: China 隔离电压: - 端子类型: PC引脚 最小包装: 3000pcs 高度: 1.25mm 电源类型: 恒流驱动 引脚数: 5Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 功率电子开关
描述: WS4601E-5/TR
安装类型: SMT 复位阈值电压: 2.2V 品牌: Willsemi 供电电压: 2.5V~5.5V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 工作电压: 2.5V~5.5V 输入电压: 5V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 复位脉冲宽度: 8ms 封装/外壳: SOT23-5 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+150℃ 原产国家: China 隔离电压: - 端子类型: PC引脚 最小包装: 3000pcs 高度: 1.25mm 电源类型: 恒流驱动 引脚数: 5Pin
ESD56201D12-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 单向TVS 12V截止 峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):12V 击穿电压:12.7V
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 19.5V 功率-峰值脉冲: 1.8KW 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.65 x 1.05mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN1610-2L 元件生命周期: Active 结电容Cj: 425pF 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 75A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 14.6V 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 12V 高度: 0.55mm 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 单向TVS 12V截止 峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):12V 击穿电压:12.7V
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 19.5V 功率-峰值脉冲: 1.8KW 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.65 x 1.05mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN1610-2L 元件生命周期: Active 结电容Cj: 425pF 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 75A 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 14.6V 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 12V 高度: 0.55mm 零件状态: Active