WNM6001-3/TR
品牌
WILLSEMI
供应商
分类
晶体管 > MOSFETs
描述
N沟道 耐压:60V 电流:500mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):500mA 功率(Pd):690mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA
物料参数
| 安装类型: | SMT |
| 品牌: | Willsemi |
| 功率耗散: | 690mW |
| 额定功率: | 690mW |
| 连续漏极电流Id@25℃: | 500mA |
| 包装: | Tape/reel |
| 极性: | N-沟道 |
| 长x宽/尺寸: | 3.10 x 1.50mm |
| 封装/外壳: | SOT23 |
| 栅极源极击穿电压: | ±20V |
| 输入电容Ciss: | 23.37pF |
| 工作温度: | -55℃~+150℃(TJ) |
| 充电电量: | 1.2nC |
| 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: | 2Ω |
| 栅极电荷(Qg)(Max): | 1.2nC |
| 最小包装: | 3000pcs |
| 漏源电压(Vdss): | 60V |
| 高度: | 1.30mm |
| 晶体管类型: | N沟道 |