WILLSEMI
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ESD9B5VL-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD9B5VL-2/TR
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 钳位电压 VC: 11V 电源电压: 5V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 8.3V 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: FBP02C_1X0.6MM 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 系列: ESD 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 5.8V 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 电压-断态: 5V 高度: 0.50mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD9B5VL-2/TR
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 钳位电压 VC: 11V 电源电压: 5V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 8.3V 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: FBP02C_1X0.6MM 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 系列: ESD 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 5.8V 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 电压-断态: 5V 高度: 0.50mm 引脚数: 2Pin
ESD9N5BU-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 18V 3A
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 品牌: Willsemi 电源电压: 5V 断态电压: 5V 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN2_1X0.6MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 系列: ESD 击穿电压 V(BR)-min: 7V 通道数: 2 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 18V 3A
工作电压VR-VI(max): 5V 安装类型: SMT 品牌: Willsemi 电源电压: 5V 断态电压: 5V 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN2_1X0.6MM 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 系列: ESD 击穿电压 V(BR)-min: 7V 通道数: 2 最小包装: 10000pcs 高度: 0.50mm 引脚数: 2Pin
ESD9N12BA-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD9N12BA-2/TR
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 12V 钳位电压 VC: 18V 电源电压: 12V 功率-峰值脉冲: 99W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN1006-2L_1X0.6MM 结电容Cj: 27pF 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.5A 系列: ESD 极性（单双向）: 双向 击穿电压 V(BR)-min: 13V 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 12V 高度: 0.45mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD9N12BA-2/TR
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 12V 钳位电压 VC: 18V 电源电压: 12V 功率-峰值脉冲: 99W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN1006-2L_1X0.6MM 结电容Cj: 27pF 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 5.5A 系列: ESD 极性（单双向）: 双向 击穿电压 V(BR)-min: 13V 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 12V 高度: 0.45mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
WAS7227Q-10/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 模拟开关
描述: WAS7227Q-10/TR
特性: Two-way,USB2.0 开关电路: DPDT 漏泄电流: 1µA 开关时间（Ton,Tof）（最大值）: 70ns,65ns 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 电源电压，单（V+）: 2.5V~5.5V -3db带宽: 550MHz 包装: Tape/Reel 电源电压，双（V±）: - 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: QFN1418-10L 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 导通电阻（最大值）: 7.5Ω 安装方式: SMT 最小包装: 3000pcs 高度: 0.55mm 零件状态: Active 应用: Network 引脚数: 10Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 模拟开关
描述: WAS7227Q-10/TR
特性: Two-way,USB2.0 开关电路: DPDT 漏泄电流: 1µA 开关时间（Ton,Tof）（最大值）: 70ns,65ns 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 电源电压，单（V+）: 2.5V~5.5V -3db带宽: 550MHz 包装: Tape/Reel 电源电压，双（V±）: - 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: QFN1418-10L 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 导通电阻（最大值）: 7.5Ω 安装方式: SMT 最小包装: 3000pcs 高度: 0.55mm 零件状态: Active 应用: Network 引脚数: 10Pins
ESD9N5BM-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD9N5BM-2/TR 停产
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 16V 功率-峰值脉冲: 40W 原始制造商: Shanghai Willsemi Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: 0402 结电容Cj: 1pF 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 2.5A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 7V 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 5V 高度: 0.50mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD9N5BM-2/TR 停产
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 16V 功率-峰值脉冲: 40W 原始制造商: Shanghai Willsemi Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: 0402 结电容Cj: 1pF 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 2.5A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 7V 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 5V 高度: 0.50mm 引脚数: 2Pin
WNM2024-3/TR
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=3.3A
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 功率耗散: 600mW 额定功率: 600mW 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 3.3A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 输入电容Ciss: 1.025nF 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: +150℃(TJ) 充电电量: 12nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 36mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFET SOT23-3 N-Channel ID=3.3A
安装类型: SMT 品牌: Willsemi 功率耗散: 600mW 额定功率: 600mW 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 3.3A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 输入电容Ciss: 1.025nF 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: +150℃(TJ) 充电电量: 12nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 36mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 12nC 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道
ESD5344D-10/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD5344D-10/TR
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 5V 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 12V 电源电压: 5V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 功率-峰值脉冲: 50W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.10mm 封装/外壳: DFN2510-10L 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 系列: ESD 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 7V 最小包装: 3000pcs 通道数: 4 电压-断态: 5V 高度: 0.60mm
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ESD5344D-10/TR
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 5V 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 12V 电源电压: 5V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 功率-峰值脉冲: 50W 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.10mm 封装/外壳: DFN2510-10L 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 系列: ESD 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 7V 最小包装: 3000pcs 通道数: 4 电压-断态: 5V 高度: 0.60mm
SPD9103W-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SOD323 17V 20A
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 3.3V 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 反向漏电流 IR: 0.1uA 电源电压: 3.3V 断态电压: 3.3V 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 20A 击穿电压 V(BR)-min: 4V 通道数: 2 最小包装: 3000pcs 结电容: 1.5pF@1MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SOD323 17V 20A
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 3.3V 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 反向漏电流 IR: 0.1uA 电源电压: 3.3V 断态电压: 3.3V 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 20A 击穿电压 V(BR)-min: 4V 通道数: 2 最小包装: 3000pcs 结电容: 1.5pF@1MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
ESD5341N-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 单向TVS 5V截止 4A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):5V 最大钳位电压:15V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:4A@8/20us 击穿电压:7V
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 5V 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 15V 电源电压: 5V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN2_1X0.6MM 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 系列: ESD 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 7V 高度: 0.45mm 零件状态: Active 应用: General Purpose
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 单向TVS 5V截止 4A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):5V 最大钳位电压:15V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:4A@8/20us 击穿电压:7V
安装类型: SMT 工作电压VR-VI(max): 5V 是否无铅: Yes 品牌: Willsemi 钳位电压 VC: 15V 电源电压: 5V 原始制造商: Will Semiconductor Ltd. 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.00 x 0.60mm 封装/外壳: DFN2_1X0.6MM 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 系列: ESD 极性（单双向）: 单向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 7V 高度: 0.45mm 零件状态: Active 应用: General Purpose
ESD56151W04-2/TR
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: ESD56151W04-2/TR 反向截止电压(Vrwm):4.5V 最大钳位电压:6.5V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:16A 击穿电压:4.7V
工作电压VR-VI(max): 4.5V 安装类型: SMT 反向漏电流 IR: 0.1uA 钳位电压 VC: 6.5V 电源电压: 4.5V 功率-峰值脉冲: 2.4KW 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 6.4V 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 150A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 4.7V 通道数: 1 电压-断态: 4.5V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: ESD56151W04-2/TR 反向截止电压(Vrwm):4.5V 最大钳位电压:6.5V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:16A 击穿电压:4.7V
工作电压VR-VI(max): 4.5V 安装类型: SMT 反向漏电流 IR: 0.1uA 钳位电压 VC: 6.5V 电源电压: 4.5V 功率-峰值脉冲: 2.4KW 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 6.4V 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 封装/外壳: SOD323 工作温度: -40℃~+85℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 150A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 击穿电压 V(BR)-min: 4.7V 通道数: 1 电压-断态: 4.5V 高度: 1.10mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin