SINOIC

SE8090G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SE10015
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：80mΩ@10V,15A

SEBT818BA
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：30V 集电极电流(Ic)：3A 功率(Pd)：1.2W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@500mA,1V PNP

SE7314
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.7A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：68mΩ@1.8V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA 停产

SE60P20B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SE4610
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SE8841A
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：6.5A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：双N沟道

SED10080GG
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：8mΩ @ 13A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：170W 类型：N沟道 N沟道 100V 80A

SE1216
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：12V 连续漏极电流(Id)：21A 功率(Pd)：2.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@4.5V,6.7A P沟道,-12V,-21A,11mΩ@-4.5V

SE150180G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：180A 功率(Pd)：520W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：5V@250μA