SINOIC

SE60120B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SE100150GA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道100V 150A

SE3401A
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)

SED10070GG
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：70A 功率(Pd)：170W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9.8mΩ@10V,39A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道 100V 70A

SE6880
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：68V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

SE6020B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@10V,20A N沟道 60V 20A

MSEMF05LC
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6.1V

SE30150B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.9mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

SE30150A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

P0080SB
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: P0080SB