SINOIC
商品列表
SEB40200
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>40A</SPAN> 正向压降(Vf):830mV@<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>40A</SPAN>
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>40A</SPAN> 正向压降(Vf):830mV@<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>40A</SPAN>
SE3415
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):15V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@4.5V,4A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):15V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):36mΩ@4.5V,4A
SMBJ30CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):30V 击穿电压(最小值):33.3V 击穿电压(最大值):36.8V 反向漏电流(Ir):5μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:12.4A 最大钳位电压:48.4V 600W
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):30V 击穿电压(最小值):33.3V 击穿电压(最大值):36.8V 反向漏电流(Ir):5μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:12.4A 最大钳位电压:48.4V 600W
SE3050K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,18A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,18A
SE3401
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.2A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.3V@250μA
SMDJ64CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):64V 击穿电压(最小值):71.1V 击穿电压(最大值):78.6V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:29.1A 最大钳位电压:103V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:3000W
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):64V 击穿电压(最小值):71.1V 击穿电压(最大值):78.6V 反向漏电流(Ir):1μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:29.1A 最大钳位电压:103V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:3000W