SINOIC
商品列表
SMBJ70CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):70V 击穿电压(最小值):77.8V 击穿电压(最大值):86V 反向漏电流(Ir):5μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.3A 最大钳位电压:113V
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):70V 击穿电压(最小值):77.8V 击穿电压(最大值):86V 反向漏电流(Ir):5μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.3A 最大钳位电压:113V
SE2060
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@4.5V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):60A 功率(Pd):3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@4.5V,20A
SEDFN2105C
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压(VBR):5.6V 钳位电压(Vc)@Ipp:12.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性:双向 反向截止电压(Vrwm):5V 击穿电压(VBR):5.6V 钳位电压(Vc)@Ipp:12.5V
SE120120G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):120V 连续漏极电流(Id):129A 功率(Pd):185W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.1mΩ@10V,60A N沟道,120V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):120V 连续漏极电流(Id):129A 功率(Pd):185W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.1mΩ@10V,60A N沟道,120V