SINOIC

SESD3Z12C
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：Bidirectional 反向关断电压（典型值）：12V 击穿电压（最小值）：13.3V

SE6080A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,40A

SEL05
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6V

SE0502B
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: -

SMCJ75A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：75V 击穿电压：83.3V 最大钳位电压：121V

SESD3Z5V
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：Unidirectional 反向关断电压（典型值）：5V 击穿电压（最小值）：6.1V

SE4946
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：6.5A 功率(Pd)：2mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,5.3A

SE80130G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：130A 功率(Pd)：160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.3mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA N沟道 80V 130A

SE80250GA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：250A 功率(Pd)：312.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

MM3Z5V1-5
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管配置：独立式 稳压值(标称值)：5.1V 精度：±5% 功率：500mW 反向电流(Ir)：2μA@4.2V 阻抗(Zzt)：130Ω