SINOIC

SEBT3904U
供应商: Anychip Mall
分类: SEBT3904U
描述: 集电极电流Ic：200mA 额定功率：250mW 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压Vce：40V NPN

SE4606L
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SEMF3V3
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件

SE40120A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SE20040A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SS310
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：850mV@3A 100V,3A,VF=0.85V@3A

SESDFBP07V
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：Unidirectional 反向关断电压（典型值）：7V 击穿电压（最小值）：7.5V

LT3021
供应商: Anychip Mall
分类: 半导体放电管(TSS)
描述: 断态峰值电压(Vdrm)：28V 漏电流(Idrm)：10uA 开关电压(Vs)：38V 维持电流(Ih)：30mA

SE20N110
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA

SE8810A(ESD)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250μA