SINOIC

SE120120GA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：120V 连续漏极电流(Id)：129A 功率(Pd)：185W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.1mΩ@10V,60A N沟道 120V

5.0SMDJ64CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：64V 击穿电压(最小值)：71.1V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs：48.5A 最大钳位电压：103V VBR=71.1V,Vc=103V,Ipp=48.5A,单向

SE2N7002
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：850mV@250μA

SED8830A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14.5mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250μA N沟道，20V

MM3Z7V5
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 7.5V

SEBC847BU
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：350mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@100mA,5mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@2mA,5V 特征频率(fT)：200MHz 工作温度：+150℃@(Tj) NPN VCEO=45V Ic=0.1A

SE30P50B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：50A 功率(Pd)：90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7mΩ@10V,20A

SE4625
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

SE80160G
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：160A 功率(Pd)：285W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.8mΩ@10V,20A N沟道，80V

SE8831A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6.1A 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：19.5mΩ@4.5V,6.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1V@250μA N沟道,20V