HUAYI
商品列表
HY0C20C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：1.56W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA
HY15P03C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：60A 功率(Pd)：52W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA
HYG020N04NA1P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：134.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.755nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：650pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：134.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.755nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：650pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
HYG035N06LS1D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：65V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：183W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：41.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：3.687nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：112pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：65V 连续漏极电流(Id)：150A 功率(Pd)：183W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：41.7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：3.687nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：112pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
HY1906B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：188W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,60A N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：188W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,60A N沟道