HUAYI
商品列表
HY4008P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):200A 功率(Pd):345W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,100A N沟道80V/200A/2.9毫欧
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):200A 功率(Pd):345W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,100A N沟道80V/200A/2.9毫欧
HYG042N10NS1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):160A 功率(Pd):200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):160A 功率(Pd):200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A
HY4004B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):208A 功率(Pd):217W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,104A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):208A 功率(Pd):217W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.2mΩ@10V,104A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道
HY3606P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):162A 功率(Pd):214W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,81A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):162A 功率(Pd):214W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,81A