HYG020N04NA1P
品牌
HUAYI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：220A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.8mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：134.2nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：5.755nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：650pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)