HUAYI

HY1804P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：110A 功率(Pd)：125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,55A

HY1603P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：62A 功率(Pd)：36W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,31A N沟道,30V,62A,4.8mΩ@10V

HYG065N07NS1D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>70</SPAN>V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>70</SPAN>A 功率(Pd)：62.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,40A

HY3215B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：5V@250μA N沟道

HY0910D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：21W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：143mΩ@10V,4.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HYG035N04LR1D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：93A 功率(Pd)：61W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：52.4nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：5.905nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：207pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

HY029N10B6
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY4008B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：345W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道

HY1210D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG013N04NA1P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)