HUAYI

HYG016N04LS1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：240A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：43.6nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：5.894nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：53pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)

HY3410B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：140A 功率(Pd)：285W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,70A N管 100V/140A

HY1403D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY045N10B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：221W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@10V,50A

HYG190C04LA1S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HYG025N06LS2P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY1908B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：185W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@10V,45A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

HY1915P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：85A 功率(Pd)：263W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：18mΩ@10V,30A

HY19P03B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,45A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA

HY3210NA2P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)