HYG016N04LS1B
品牌
HUAYI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：240A 功率(Pd)：200W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：43.6nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：5.894nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：53pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)