HUAYI

HYG065N15NS1B6
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：165A 功率(Pd)：375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：96nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.646nF@75V 反向传输电容(Crss@Vds)：88pF@75V 工作温度：+175℃@(Tj)

HYG180N10LS1D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY045N10P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：221W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

HY050N08C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：69.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.8mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA 停产 N沟道

HYG420N06LR1D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY4004P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：208A 功率(Pd)：217W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.2mΩ@10V,104A

HY5012W
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

HY4504W
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：250A 功率(Pd)：336W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.4mΩ@10V,125A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA

HY1904C2
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：65A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,20A

HYG064N08NA1B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：208W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.4mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：65nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.08nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：205pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)