HUAYI
商品列表
HY1606B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):66A 功率(Pd):88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.4mΩ@10V,33A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):66A 功率(Pd):88W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.4mΩ@10V,33A
HY1906P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):188W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,60A N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):188W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.5mΩ@10V,60A N沟道
HY1920P
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,45A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):90A 功率(Pd):375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):24mΩ@10V,45A
HY4306B6
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):290A 功率(Pd):375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2mΩ@10V,140A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):290A 功率(Pd):375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.2mΩ@10V,140A
HY3906B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):190A 功率(Pd):220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,95A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):190A 功率(Pd):220W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,95A