HYG064N08NA1B
品牌
HUAYI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：208W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.4mΩ@10V,40A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：65nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.08nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：205pF@25V 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)