HYG065N15NS1B6
品牌
HUAYI
供应商
分类
场效应管(MOSFET)
描述
类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：150V 连续漏极电流(Id)：165A 功率(Pd)：375W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6mΩ@10V,100A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：96nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：6.646nF@75V 反向传输电容(Crss@Vds)：88pF@75V 工作温度：+175℃@(Tj)