BLUE ROCKET
商品列表
BRI2N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):2A 功率(Pd):45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
KTC3228-Y
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1W 集电极截止电流(Icbo):1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@200mA,5V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) Y(160-320)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):160V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1W 集电极截止电流(Icbo):1μA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):160@200mA,5V 特征频率(fT):100MHz 工作温度:+150℃@(Tj) Y(160-320)
SD103AWS
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SOD323 Vr=40V Vrms=28V Ifm=350mA Ifsm=1.5A Pd=200mW
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: BLUE ROCKET 总电容C: 50pF 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV@200mA 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD-323(SC-76) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 1.5A 平均整流电流: 350mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散(最大值): 200mW 反向恢复时间(trr): 10ns 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 SOD323 Vr=40V Vrms=28V Ifm=350mA Ifsm=1.5A Pd=200mW
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: BLUE ROCKET 总电容C: 50pF 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 600mV@200mA 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD-323(SC-76) 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+125℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 1.5A 平均整流电流: 350mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散(最大值): 200mW 反向恢复时间(trr): 10ns 引脚数: 2Pin
S3MB
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=1KV If=3A VF=1.1V CJ=35pF SMB
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: BLUE ROCKET 总电容C: 35pF 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF Min: 1.1V 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000 正向压降VF Max: 1.1V 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 整流二极管 VRRM=1KV If=3A VF=1.1V CJ=35pF SMB
安装类型: SMT 二极管配置: 独立式 品牌: BLUE ROCKET 总电容C: 35pF 原始制造商: Foshan Blue Rocket Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF Min: 1.1V 正向压降VF: 1.1V 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.94mm 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 反向漏电流IR: 5μA 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压(最大值): 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000 正向压降VF Max: 1.1V 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
KTC3875-Y
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):150mW Y(120-240)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):150mW Y(120-240)
BZX84C18
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):18V 稳压值(范围):16.8V~19.1V 功率:300mW 反向电流(Ir):100nA@12.6V 阻抗(Zzt):45Ω 停产 18V 0.3W
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 二极管配置:独立式 稳压值(标称值):18V 稳压值(范围):16.8V~19.1V 功率:300mW 反向电流(Ir):100nA@12.6V 阻抗(Zzt):45Ω 停产 18V 0.3W
BR20N40
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):280W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA 停产
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):280W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA 停产
KTA1266
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@2mA,6V GR(200-400) PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):50V 集电极电流(Ic):150mA 功率(Pd):625mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@2mA,6V GR(200-400) PNP